WSD4076DN56 canal N 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

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WSD4076DN56 canal N 40V 76A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número da peça:WSD4076DN56

BVDSS:40V

EU IA:76A

RDSON:6,9mΩ 

Canal:Canal N

Pacote:DFN5X6-8


Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Visão geral do produto WINSOK MOSFET

A tensão do MOSFET WSD4076DN56 é 40V, a corrente é 76A, a resistência é 6,9mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.

Áreas de aplicação WINSOK MOSFET

MOSFET de pequenos eletrodomésticos, MOSFET de eletrodomésticos portáteis, MOSFET de motores.

WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca

STMicroelectronics MOSFET STL52DN4LF7AG,STL64DN4F7AG,STL64N4F7AG.

PANJIT MOSFET PJQ5442.

POTENS Semicondutor MOSFET PDC496X.

Parâmetros MOSFET

Símbolo

Parâmetro

Avaliação

Unidades

VDS

Tensão de fonte de drenagem

40

V

VGS

Portão-Sourtensão

±20

V

ID@TC=25

Corrente de drenagem contínua, VGS@10V

76

A

ID@TC=100

Corrente de drenagem contínua, VGS@10V

33

A

IDM

Corrente de drenagem pulsadaa

125

A

EAS

Energia de avalanche de pulso únicob

31

mJ

IAS

Corrente de Avalanche

31

A

PD@Ta=25

Dissipação total de energia

1.7

W

TSTG

Amplitude Térmica de armazenamento

-55 a 150

TJ

Faixa de temperatura de junção operacional

-55 a 150

 

Símbolo

Parâmetro

Condições

Min.

Tipo.

Máx.

Unidade

BVDSS

Tensão de ruptura da fonte de drenagem VGS=0V, euD=250ua

40

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficiente de temperatura Referência a 25, EUD=1mA

---

0,043

---

V/

RDS(LIGADO)

Resistência estática da fonte de drenagem2 VGS = 10 V, euD=12A

---

6,9

8,5

mΩ

RDS(LIGADO)

Resistência estática da fonte de drenagem2 VGS = 4,5 V, euD=10A

---

10

15

VGS(º)

Tensão limite do portão VGS=VDS, EUD=250ua

1,5

1.6

2,5

V

VGS(º)

VGS(º)Coeficiente de temperatura

---

-6,94

---

mV/

IDSS

Corrente de fuga da fonte de drenagem VDS=32 V, VGS=0 V, TJ=25

---

---

2

uA

VDS=32 V, VGS=0 V, TJ=55

---

---

10

IGSS

Corrente de fuga porta-fonte VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transcondutância direta VDS=5V, euD=20A

---

18

---

S

Rg

Resistência do portão VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1.7

---

Ω

Qg

Carga total do portão (10V) VDS=20 V, VGS=4,5 V, euD=12A

---

5.8

---

nC

Qgs

Carga Gate-Fonte

---

3,0

---

Qgd

Carga de drenagem de portão

---

1.2

---

Td(ligado)

Tempo de atraso de ativação VDD=15 V, VGER=10V,RG=3,3Ω, EUD=1A.

---

12

---

ns

Tr

Tempo de subida

---

5.6

---

Td(desligado)

Tempo de atraso para desligar

---

20

---

Tf

Tempo de outono

---

11

---

Cisso

Capacitância de entrada VDS=15 V, VGS=0V, f=1MHz

---

680

---

pF

Coss

Capacitância de saída

---

185

---

Crsrs

Capacitância de transferência reversa

---

38

---


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