WSD4018DN22 canal P -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD4018DN22 é -40V, a corrente é -18A, a resistência é 26mΩ, o canal é canal P e o pacote é DFN2X2-6L.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular, carga de portão super baixa, excelente declínio do efeito Cdv / dt Dispositivo verde disponível, equipamento de reconhecimento facial MOSFET, MOSFET de cigarro eletrônico, pequenos eletrodomésticos MOSFET, carregador de carro MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON2409, POTENS MOSFET PDB3909L
Parâmetros MOSFET
Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
VDS | Tensão de fonte de drenagem | -40 | V |
VGS | Tensão Gate-Fonte | ±20 | V |
ID@Tc=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@-10V1 | -18 | A |
ID@Tc=70℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@-10V1 | -14,6 | A |
IDM | Corrente de drenagem pulsada 300μS,VGS=-4,5V2 | 54 | A |
PD@Tc=25℃ | Dissipação Total de Energia3 | 19 | W |
TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
Características Elétricas (TJ=25 ℃, salvo indicação em contrário)
Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V, euD=-250ua | -40 | --- | --- | V |
△BVDSS/△TJ | Coeficiente de temperatura BVDSS | Referência a 25℃, euD=-1mA | --- | -0,01 | --- | V/℃ |
RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS=-10V, euD=-8,0A | --- | 26 | 34 | mΩ |
VGS=-4,5 V, euD=-6,0A | --- | 31 | 42 | |||
VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS=VDS, EUD=-250ua | -1,0 | -1,5 | -3,0 | V |
△VGS(º) | VGS(º)Coeficiente de temperatura | --- | 3.13 | --- | mV/℃ | |
IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=-40 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | -1 | uA |
VDS=-40 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | -5 | |||
IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
Qg | Carga total do portão (-4,5V) | VDS=-20 V, VGS=-10V, euD=-1,5A | --- | 27 | --- | nC |
Qgs | Carga Gate-Fonte | --- | 2,5 | --- | ||
Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 6.7 | --- | ||
Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=-20 V, VGS=-10V,RG=3Ω, RL=10Ω | --- | 9,8 | --- | ns |
Tr | Tempo de subida | --- | 11 | --- | ||
Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 54 | --- | ||
Tf | Tempo de outono | --- | 7.1 | --- | ||
Cisso | Capacitância de entrada | VDS=-20 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1560 | --- | pF |
Coss | Capacitância de saída | --- | 116 | --- | ||
Crsrs | Capacitância de transferência reversa | --- | 97 | --- |