WSD4018DN22 canal P -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

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WSD4018DN22 canal P -40V -18A DFN2X2-6L WINSOK MOSFET

breve descrição:

Número da peça:WSD4018DN22

BVDSS:-40V

EU IA:-18A

RDSON:26mΩ 

Canal:Canal P

Pacote:DFN2X2-6L


Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Visão geral do produto WINSOK MOSFET

A tensão do MOSFET WSD4018DN22 é -40V, a corrente é -18A, a resistência é 26mΩ, o canal é canal P e o pacote é DFN2X2-6L.

Áreas de aplicação WINSOK MOSFET

Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular, carga de portão super baixa, excelente declínio do efeito Cdv / dt Dispositivo verde disponível, equipamento de reconhecimento facial MOSFET, MOSFET de cigarro eletrônico, pequenos eletrodomésticos MOSFET, carregador de carro MOSFET.

WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca

AOS MOSFET AON2409, POTENS MOSFET PDB3909L

Parâmetros MOSFET

Símbolo

Parâmetro

Avaliação

Unidades

VDS

Tensão de fonte de drenagem

-40

V

VGS

Tensão Gate-Fonte

±20

V

ID@Tc=25℃

Corrente de drenagem contínua, VGS@-10V1

-18

A

ID@Tc=70℃

Corrente de drenagem contínua, VGS@-10V1

-14,6

A

IDM

Corrente de drenagem pulsada 300μS,VGS=-4,5V2

54

A

PD@Tc=25℃

Dissipação Total de Energia3

19

W

TSTG

Faixa de temperatura de armazenamento

-55 a 150

TJ

Faixa de temperatura de junção operacional

-55 a 150

Características Elétricas (TJ=25 ℃, salvo indicação em contrário)

Símbolo

Parâmetro

Condições

Min.

Tipo.

Máx.

Unidade

BVDSS

Tensão de ruptura da fonte de drenagem VGS=0V, euD=-250ua

-40

---

---

V

△BVDSS/△TJ

Coeficiente de temperatura BVDSS Referência a 25℃, euD=-1mA

---

-0,01

---

V/℃

RDS(LIGADO)

Resistência estática da fonte de drenagem2 VGS=-10V, euD=-8,0A

---

26

34

VGS=-4,5 V, euD=-6,0A

---

31

42

VGS(º)

Tensão limite do portão VGS=VDS, EUD=-250ua

-1,0

-1,5

-3,0

V

△VGS(º)

VGS(º)Coeficiente de temperatura

---

3.13

---

mV/℃

IDSS

Corrente de fuga da fonte de drenagem VDS=-40 V, VGS=0 V, TJ=25℃

---

---

-1

uA

VDS=-40 V, VGS=0 V, TJ=55℃

---

---

-5

IGSS

Corrente de fuga porta-fonte VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg

Carga total do portão (-4,5V) VDS=-20 V, VGS=-10V, euD=-1,5A

---

27

---

nC

Qgs

Carga Gate-Fonte

---

2,5

---

Qgd

Carga de drenagem de portão

---

6.7

---

Td(ligado)

Tempo de atraso de ativação VDD=-20 V, VGS=-10V,RG=3Ω, RL=10Ω

---

9,8

---

ns

Tr

Tempo de subida

---

11

---

Td(desligado)

Tempo de atraso para desligar

---

54

---

Tf

Tempo de outono

---

7.1

---

Cisso

Capacitância de entrada VDS=-20 V, VGS=0V, f=1MHz

---

1560

---

pF

Coss

Capacitância de saída

---

116

---

Crsrs

Capacitância de transferência reversa

---

97

---


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