WSD40120DN56 canal N 40V 120A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD40120DN56 é 40V, a corrente é 120A, a resistência é 1,85mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carregamento sem fio MOSFET, drones MOSFET, cuidados médicos MOSFET, carregadores de carro MOSFET, controladores MOSFET, produtos digitais MOSFET, pequenos eletrodomésticos MOSFET, eletrônicos de consumo MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON6234, AON6232, AON623.Onsemi, FAIRCHILD MOSFET NVMFS5C442NL. 4.NIKO-SEM MOSFET PKCSBB.POTENS Semicondutor MOSFET PDC496X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 40 | V |
| VGS | Portão-Sourtensão | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@10V1,7 | 120 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@10V1,7 | 100 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | 400 | A |
| EAS | Energia de avalanche de pulso único3 | 240 | mJ |
| IAS | Corrente de Avalanche | 31 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipação total de energia4 | 104 | W |
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V, euD=250ua | 40 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referência a 25℃, EUD=1mA | --- | 0,043 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS = 10 V, euD=30A | --- | 1,85 | 2.4 | mΩ |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS = 4,5 V, euD=20A | --- | 2,5 | 3.3 | mΩ |
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS=VDS, EUD=250ua | 1,5 | 1,8 | 2,5 | V |
| △VGS(º) | VGS(º)Coeficiente de temperatura | --- | -6,94 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=32 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 2 | uA |
| VDS=32 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 10 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=5V, euD=20A | --- | 55 | --- | S |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.1 | 2 | Ω |
| Qg | Carga total do portão (10V) | VDS=20 V, VGS=10V, euD=10A | --- | 76 | 91 | nC |
| Qgs | Carga Gate-Fonte | --- | 12 | 14.4 | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 15,5 | 18,6 | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=30 V, VGER=10V,RG=1Ω, EUD=1A,RL=15Ω. | --- | 20 | 24 | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 10 | 12 | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 58 | 69 | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 34 | 40 | ||
| Cisso | Capacitância de entrada | VDS=20 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 4350 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 690 | --- | ||
| Crsrs | Capacitância de transferência reversa | --- | 370 | --- |
