WSD30L88DN56 Canal P duplo -30V -49A DFN5 * 6-8 WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número do modelo:WSD30L88DN56

BVDSS:30V

RDSON:11,5mΩ

EU IA:-49A

Canal:Canal P duplo

Pacote:DFN5*6-8

Produto verão:A tensão do MOSFET WSD30L88DN56 é -30V, a corrente é-49A, a resistência é 11,5mΩ, o canal é canal P duplo e o pacote é DFN5 * 6-8.

Formulários:Cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, drones, assistência médica, carregadores de carro, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo.

Envie um e-mail para nós PDF

Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Descrição geral

O WSD30L88DN56 é o MOSFET Dual P-Ch de trincheira de mais alto desempenho com densidade de células extremamente alta, que fornece excelente RDSON e carga de porta para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono.O WSD30L88DN56 atende aos requisitos RoHS e Produto Verde 100% EAS garantido com confiabilidade de função total aprovada.

Características

Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular, carga de portão super baixa, excelente declínio do efeito CdV / dt, 100% EAS garantido, dispositivo verde disponível.

Formulários

Síncrono de ponto de carga de alta frequência, conversor Buck para MB/NB/UMPC/VGA, sistema de energia DC-DC de rede, interruptor de carga, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, motores, drones, cuidados médicos, carregadores de carro, controladores, digital produtos, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo.

número do material correspondente

AOS

Parâmetros importantes

Símbolo	Parâmetro	Avaliação	Unidades
VDS	Tensão de fonte de drenagem	-30	V
VGS	Tensão Gate-Fonte	±20	V
ID@TC=25℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ -10V1	-49	A
ID@TC=100℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ -10V1	-23	A
IDM	Corrente de drenagem pulsada2	-120	A
EAS	Energia de avalanche de pulso único3	68	mJ
PD@TC=25℃	Dissipação Total de Energia4	40	W
TSTG	Amplitude Térmica de armazenamento	-55 a 150	℃
TJ	Faixa de temperatura de junção operacional	-55 a 150	℃