WSD30350DN56G canal N 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

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WSD30350DN56G canal N 30V 350A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número da peça:WSD30350DN56G

BVDSS:30V

EU IA:350A

RDSON:0,48mΩ 

Canal:Canal N

Pacote:DFN5X6-8


Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Visão geral do produto WINSOK MOSFET

A tensão do MOSFET WSD30350DN56G é 30V, a corrente é 350A, a resistência é 1,8mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.

Áreas de aplicação WINSOK MOSFET

E-cigarros MOSFET, carregamento sem fio MOSFET, drones MOSFET, cuidados médicos MOSFET, carregadores de carro MOSFET, controladores MOSFET, produtos digitais MOSFET, pequenos eletrodomésticos MOSFET, eletrônicos de consumo MOSFET.

Parâmetros MOSFET

Símbolo

Parâmetro

Avaliação

Unidades

VDS

Tensão de fonte de drenagem

30

V

VGS

Portão-Sourtensão

±20

V

ID@TC=25

Corrente de drenagem contínua(Silício Limitado1,7

350

A

ID@TC=70

Corrente de drenagem contínua (Silicon Limited1,7

247

A

IDM

Corrente de drenagem pulsada2

600

A

EAS

Energia de avalanche de pulso único3

1800

mJ

IAS

Corrente de Avalanche

100

A

PD@TC=25

Dissipação total de energia4

104

W

TSTG

Amplitude Térmica de armazenamento

-55 a 150

TJ

Faixa de temperatura de junção operacional

-55 a 150

 

Símbolo

Parâmetro

Condições

Min.

Tipo.

Máx.

Unidade

BVDSS

Tensão de ruptura da fonte de drenagem VGS=0V, euD=250ua

30

---

---

V

BVDSS/△TJ

BVDSSCoeficiente de temperatura Referência a 25, EUD=1mA

---

0,022

---

V/

RDS(LIGADO)

Resistência estática da fonte de drenagem2 VGS=10V, euD=20A

---

0,48

0,62

mΩ
VGS=4,5 V, euD=20A

---

0,72

0,95

VGS(º)

Tensão limite do portão VGS=VDS, EUD=250ua

1.2

1,5

2,5

V

VGS(º)

VGS(º)Coeficiente de temperatura

---

-6,1

---

mV/

IDSS

Corrente de fuga da fonte de drenagem VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=25

---

---

1

uA

VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=55

---

---

5

IGSS

Corrente de fuga porta-fonte VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

gfs

Transcondutância direta VDS=5V, euD=10A

---

40

---

S

Rg

Resistência do portão VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz

---

3.8

1,5

Ω

Qg

Carga total do portão (4,5V) VDS=15 V, VGS=4,5 V, euD=20A

---

89

---

nC

Qgs

Carga Gate-Fonte

---

37

---

Qgd

Carga de drenagem de portão

---

20

---

Td(ligado)

Tempo de atraso de ativação VDD=15 V, VGER=10V,

RG=1Ω, EUD=10A

---

25

---

ns

Tr

Tempo de subida

---

34

---

Td(desligado)

Tempo de atraso para desligar

---

61

---

Tf

Tempo de outono

---

18

---

Cisso

Capacitância de entrada VDS=15 V, VGS=0V, f=1MHz

---

7845

---

pF

Coss

Capacitância de saída

---

4525

---

Crsrs

Capacitância de transferência reversa

---

139

---


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