WSD30300DN56G canal N 30V 300A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD20100DN56 é 20V, a corrente é 90A, a resistência é 1,6mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
Cigarros eletrônicos MOSFET, drones MOSFET, ferramentas elétricas MOSFET, armas de fáscia MOSFET, PD MOSFET, pequenos eletrodomésticos MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON6572.
POTENS Semicondutor MOSFET PDC394X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 20 | V |
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±12 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua1 | 90 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente de drenagem contínua1 | 48 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | 270 | A |
| EAS | Energia de avalanche de pulso único3 | 80 | mJ |
| IAS | Corrente de Avalanche | 40 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipação total de energia4 | 83 | W |
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
| RθJA | Resistência Térmica Junção-ambiente1(t≦10S) | 20 | ℃/W |
| RθJA | Resistência Térmica Junção-ambiente1(Curso estável) | 55 | ℃/W |
| RθJC | Caixa de junção de resistência térmica1 | 1,5 | ℃/W |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Mínimo | Tipo | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS = 0V, ID = 250ua | 20 | 23 | --- | V |
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, ID = 250uA | 0,5 | 0,68 | 1,0 | V |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS = 10 V, ID = 20A | --- | 1.6 | 2,0 | mΩ |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS = 4,5 V, ID = 20A | 1,9 | 2,5 | mΩ | |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS = 2,5 V, ID = 20A | --- | 2.8 | 3.8 | mΩ |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=16V, VGS=0V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=16V, VGS=0V, TJ=125℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±10V, VDS=0V | --- | --- | ±10 | uA |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 1.2 | --- | Ah |
| Qg | Carga total do portão (10V) | VDS=15V, VGS=10V, ID=20A | --- | 77 | --- | nC |
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Fonte | --- | 8.7 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 14 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=15V, VGS=10V, RG=3, ID=20A | --- | 10.2 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 11.7 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 56,4 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 16.2 | --- | ||
| Ciss | Capacitância de entrada | VDS = 10 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz | --- | 4307 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 501 | --- | ||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | --- | 321 | --- | ||
| IS | Corrente de fonte contínua1,5 | VG=VD=0V, corrente de força | --- | --- | 50 | A |
| DSV | Tensão direta do diodo2 | VGS=0V, IS=1A, TJ=25℃ | --- | --- | 1.2 | V |
| trr | Tempo de recuperação reversa | SE=20A, di/dt=100A/µs, TJ=25℃ | --- | 22 | --- | nS |
| QR | Cobrança de recuperação reversa | --- | 72 | --- | nC |
