WSD3023DN56 N-Ch e canal P 30V/-30V 14A/-12A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

breve descrição:

Número do modelo:WSD3023DN56

BVDSS:30V/-30V

RDSON:14mΩ/23mΩ

EU IA:14A/-12A

Canal:Canal N e Canal P

Pacote:DFN5*6-8

Produto verão:A tensão do MOSFET WSD3023DN56 é 30V/-30V, a corrente é14A/-12A, a resistência é 14mΩ/23mΩ, o canal é N-Ch e P-Channel, e o pacote é DFN5*6-8.

Aplicações:Drones, motores, eletrônicos automotivos, principais eletrodomésticos.

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Detalhes do produto

Aplicativo

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Descrição Geral

O WSD3023DN56 é o MOSFET de trincheira N-ch e P-ch de mais alto desempenho com densidade de célula extremamente alta, que fornece excelente RDSON e carga de porta para a maioria das aplicações de conversor Buck síncrono. O WSD3023DN56 atende aos requisitos RoHS e Produto Verde 100% EAS garantido com confiabilidade de função total aprovada.

Características

Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular, carga de portão super baixa, excelente declínio do efeito CdV/dt, 100% EAS garantido, dispositivo verde disponível.

Aplicativos

Conversor Buck síncrono de ponto de carga de alta frequência para MB / NB / UMPC / VGA, sistema de energia DC-DC de rede, inversor de luz de fundo CCFL, drones, motores, eletrônicos automotivos, principais eletrodomésticos.

número do material correspondente

PANJIT PJQ5606

Parâmetros importantes

Símbolo	Parâmetro	Avaliação		Unidades
Símbolo	Parâmetro	N-Ch	P-Ch	Unidades
VDS	Tensão de fonte de drenagem	30	-30	V
VGS	Tensão Gate-Fonte	±20	±20	V
ID	Corrente de drenagem contínua, VGS(NP)=10V,Ta=25℃	14*	-12	A
ID	Corrente de drenagem contínua, VGS(NP)=10V,Ta=70℃	7.6	-9,7	A
Deslocados internos a	Corrente de drenagem de pulso testada, VGS(NP)=10V	48	-48	A
EAS-c	Energia de avalanche, pulso único, L=0,5mH	20	20	mJ
IAS c	Corrente de avalanche, pulso único, L=0,5mH	9	-9	A
PD	Dissipação total de energia, Ta = 25 ℃	5,25	5,25	W
TSTG	Faixa de temperatura de armazenamento	-55 a 175	-55 a 175	℃
TJ	Faixa de temperatura de junção operacional	175	175	℃
RqJA b	Junção de resistência térmica ao ambiente, estado estacionário	60	60	℃/W
RqJC	Junção de resistência térmica à caixa, estado estacionário	6,25	6,25	℃/W

Símbolo	Parâmetro	Condições	Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
BVDSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS = 0V, ID = 250ua	30	---	---	V
RDS(ON)d	Resistência estática da fonte de drenagem	VGS = 10 V, ID = 8A	---	14	18,5	mΩ
RDS(ON)d	Resistência estática da fonte de drenagem	VGS = 4,5 V, ID = 5A	---	17	25	mΩ
VGS(º)	Tensão limite do portão	VGS = VDS, ID = 250uA	1.3	1,8	2.3	V
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS=20V, VGS=0V, TJ=25℃	---	---	1	uA
IDSS	Corrente de fuga da fonte de drenagem	VDS = 20 V, VGS = 0 V, TJ = 85 ℃	---	---	30	uA
IGSS	Corrente de fuga porta-fonte	VGS=±20V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Rg	Resistência do portão	VDS=0V, VGS=0V, f=1MHz	---	1.7	3.4	Ω
Qge	Carga total do portão	VDS=15V, VGS=4,5V, IDS=8A	---	5.2	---	nC
Qgse	Carga Gate-Fonte		---	1,0	---
Qgde	Carga de drenagem de portão		---	2.8	---
Td(ligado)e	Tempo de atraso de ativação	VDD=15V,RL=15R, IDS=1A,VGEN=10V, RG=6R.	---	6	---	ns
Três	Tempo de subida		---	8.6	---
Td(desligado)e	Tempo de atraso para desligar		---	16	---
Tfe	Tempo de outono		---	3.6	---
Cissé	Capacitância de entrada	VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz	---	545	---	pF
Cosse	Capacitância de saída		---	95	---
Crsse	Capacitância de transferência reversa		---	55	---