WSD30150ADN56 canal N 30V 145A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD30150DN56 é 30V, a corrente é 150A, a resistência é 1,8mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
E-cigarros MOSFET, carregamento sem fio MOSFET, drones MOSFET, cuidados médicos MOSFET, carregadores de carro MOSFET, controladores MOSFET, produtos digitais MOSFET, pequenos eletrodomésticos MOSFET, eletrônicos de consumo MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON6512, AONS3234.
Onsemi, FAIRCHILD MOSFET FDMC81DCCM.
NXP MOSFET PSMN1R7-3YL.
MOSFET TOSHIBA TPH1R43NL.
PANJIT MOSFET PJQ5428.
NIKO-SEM MOSFET PKC26BB,PKE24BB.
POTENS Semicondutor MOSFET PDC392X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 30 | V |
| VGS | Portão-Sourtensão | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@10V1,7 | 150 | A |
| ID@TC=100℃ | Corrente de drenagem contínua, VGS@10V1,7 | 83 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | 200 | A |
| EAS | Energia de avalanche de pulso único3 | 125 | mJ |
| IAS | Corrente de Avalanche | 50 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipação total de energia4 | 62,5 | W |
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V, euD=250ua | 30 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referência a 25℃, EUD=1mA | --- | 0,02 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS=10V, euD=20A | --- | 1,8 | 2.4 | mΩ |
| VGS=4,5 V, euD=15A | 2.4 | 3.2 | ||||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS=VDS, EUD=250ua | 1.4 | 1.7 | 2,5 | V |
| △VGS(º) | VGS(º)Coeficiente de temperatura | --- | -6,1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=24 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=5V, euD=10A | --- | 27 | --- | S |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 0,8 | 1,5 | Ω |
| Qg | Carga total do portão (4,5V) | VDS=15 V, VGS=4,5 V, euD=30A | --- | 26 | --- | nC |
| Qgs | Carga Gate-Fonte | --- | 9,5 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 11.4 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=15 V, VGER=10V,RG=6Ω, EUD=1A,RL=15Ω. | --- | 20 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 12 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 69 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 29 | --- | ||
| Cisso | Capacitância de entrada | VDS=15 V, VGS=0V, f=1MHz | 2560 | 3200 | 3850 | pF |
| Coss | Capacitância de saída | 560 | 680 | 800 | ||
| Crsrs | Capacitância de transferência reversa | 260 | 320 | 420 |
