WSD30140DN56 canal N 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

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WSD30140DN56 canal N 30V 85A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Pequena descrição:


  • Número do modelo:WSD30140DN56
  • BVDSS:30V
  • RDSON:1,7mΩ
  • EU IA:85A
  • Canal:Canal N
  • Pacote:DFN5*6-8
  • Produto verão:A tensão do MOSFET WSD30140DN56 é 30V, a corrente é 85A, a resistência é 1,7mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5*6-8.
  • Formulários:Cigarros eletrônicos, carregadores sem fio, drones, cuidados médicos, carregadores de carro, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo, etc.
  • Detalhes do produto

    Aplicativo

    Etiquetas de produto

    Descrição geral

    O WSD30140DN56 é o MOSFET de canal N de trincheira de mais alto desempenho com densidade de células muito alta, fornecendo excelente RDSON e carga de porta para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono.WSD30140DN56 está em conformidade com RoHS e requisitos de produtos verdes, garantia 100% EAS, confiabilidade de função total aprovada.

    Características

    Tecnologia Trench avançada de alta densidade celular, carga de gate ultrabaixa, excelente atenuação do efeito CdV/dt, garantia 100% EAS, dispositivos verdes disponíveis

    Formulários

    Sincronização de ponto de carga de alta frequência, conversores buck, sistemas de energia DC-DC em rede, aplicações de ferramentas elétricas, cigarros eletrônicos, carregamento sem fio, drones, cuidados médicos, carregamento de automóveis, controladores, produtos digitais, pequenos eletrodomésticos, eletrônicos de consumo

    número do material correspondente

    AON6312, AON6358, AON6360, AON6734, AON6792, AONS36314.EM NTMFS4847N.VISHAY SiRA62DP.ST STL86N3LLH6AG.INFINEON BSC050N03MSG.TI CSD17327Q5A, CSD17327Q5A, CSD17307Q5A.NXPPH2520U.TOSHIBA TPH4R803PL TPH3R203NL.ROHM RS1E281BN, RS1E280BN, RS1E280GN, RS1E301GN, RS1E321GN, RS1E350BN, RS1E350GN.PANJIT PJQ5410.AP AP3D5R0MT.NIKO PK610SA, PK510BA.POTENTES PDC3803R

    Parâmetros importantes

    Símbolo Parâmetro Avaliação Unidades
    VDS Tensão de fonte de drenagem 30 V
    VGS Tensão Gate-Fonte ±20 V
    ID@TC=25℃ Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1,7 85 A
    ID@TC=70℃ Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1,7 65 A
    IDM Corrente de drenagem pulsada2 300 A
    PD@TC=25℃ Dissipação Total de Energia4 50 W
    TSTG Amplitude Térmica de armazenamento -55 a 150
    TJ Faixa de temperatura de junção operacional -55 a 150
    Símbolo Parâmetro Condições Min. Tipo. Máx. Unidade
    BVDSS Tensão de ruptura da fonte de drenagem VGS = 0V, ID = 250ua 30 --- --- V
    △BVDSS/△TJ Coeficiente de temperatura BVDSS Referência a 25°C, ID=1mA --- 0,02 --- V/℃
    RDS(LIGADO) Fonte de drenagem estática sob resistência2 VGS = 10 V, ID = 20A --- 1.7 2.4
    VGS = 4,5 V, ID = 15A 2,5 3.3
    VGS(º) Tensão limite do portão VGS = VDS, ID = 250uA 1.2 1.7 2,5 V
    Corrente de fuga da fonte de drenagem VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 25 ℃ --- --- 1 uA
    IDSS VDS = 24 V, VGS = 0 V, TJ = 55 ℃ --- --- 5
    IGSS Corrente de fuga porta-fonte VGS=±20V, VDS=0V --- --- ±100 nA
    gfs Transcondutância direta VDS=5V, ID=20A --- 90 --- S
    Qg Carga total do portão (4,5V) VDS=15V, VGS=4,5V, ID=20A --- 26 --- nC
    Perguntas frequentes Carga Gate-Fonte --- 9,5 ---
    Qgd Carga de drenagem de portão --- 11.4 ---
    Td(ligado) Tempo de atraso de ativação VDD=15V, VGEN=10V, RG=3Ω, RL=0,75Ω. --- 11 --- ns
    Tr Tempo de subida --- 6 ---
    Td(desligado) Tempo de atraso para desligar --- 38,5 ---
    Tf Tempo de outono --- 10 ---
    Ciss Capacitância de entrada VDS = 15 V, VGS = 0 V, f = 1 MHz --- 3.000 --- pF
    Coss Capacitância de saída --- 1280 ---
    Crss Capacitância de transferência reversa --- 160 ---

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