WSD25280DN56G canal N 25V 280A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD25280DN56G é 25V, a corrente é 280A, a resistência é 0,7mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
Ponto de carga síncrono de alta frequência、Conversor Buck、Sistema de energia DC-DC em rede、Aplicação de ferramenta elétrica, MOSFET de cigarros eletrônicos, MOSFET de carregamento sem fio, MOSFET de drones, MOSFET de cuidados médicos, MOSFET de carregadores de carro, controladores MOSFET, MOSFET de produtos digitais, MOSFET de pequenos eletrodomésticos, MOSFET de eletrônicos de consumo.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
Nxperian MOSFET PSMN1R-4ULD.
POTENS Semicondutor MOSFET PDC262X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades |
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 25 | V |
| VGS | Portão-Sourtensão | ±20 | V |
| ID@TC=25℃ | Corrente de drenagem contínua(Silício Limitado）1,7 | 280 | A |
| ID@TC=70℃ | Corrente de drenagem contínua (Silicon Limited）1,7 | 190 | A |
| IDM | Corrente de drenagem pulsada2 | 600 | A |
| EAS | Energia de avalanche de pulso único3 | 1200 | mJ |
| IAS | Corrente de Avalanche | 100 | A |
| PD@TC=25℃ | Dissipação Total de Energia4 | 83 | W |
| TSTG | Faixa de temperatura de armazenamento | -55 a 150 | ℃ |
| TJ | Faixa de temperatura de junção operacional | -55 a 150 | ℃ |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade |
| BVDSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS=0V, euD=250ua | 25 | --- | --- | V |
| △BVDSS/△TJ | BVDSSCoeficiente de temperatura | Referência a 25℃, EUD=1mA | --- | 0,022 | --- | V/℃ |
| RDS(LIGADO) | Resistência estática da fonte de drenagem2 | VGS=10V, euD=20A | --- | 0,7 | 0,9 | mΩ |
| VGS=4,5 V, euD=20A | --- | 1.4 | 1,9 | |||
| VGS(º) | Tensão limite do portão | VGS=VDS, EUD=250ua | 1,0 | --- | 2,5 | V |
| △VGS(º) | VGS(º)Coeficiente de temperatura | --- | -6,1 | --- | mV/℃ | |
| IDSS | Corrente de fuga da fonte de drenagem | VDS=20 V, VGS=0 V, TJ=25℃ | --- | --- | 1 | uA |
| VDS=20 V, VGS=0 V, TJ=55℃ | --- | --- | 5 | |||
| IGSS | Corrente de fuga porta-fonte | VGS=±20 V, VDS=0V | --- | --- | ±100 | nA |
| gfs | Transcondutância direta | VDS=5V, euD=10A | --- | 40 | --- | S |
| Rg | Resistência do portão | VDS=0 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 3.8 | 1,5 | Ω |
| Qg | Carga total do portão (4,5 V) | VDS=15 V, VGS=4,5 V, euD=20A | --- | 72 | --- | nC |
| Qgs | Carga Gate-Fonte | --- | 18 | --- | ||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | --- | 24 | --- | ||
| Td(ligado) | Tempo de atraso de ativação | VDD=15 V, VGER=10V,RG=1Ω, EUD=10A | --- | 33 | --- | ns |
| Tr | Tempo de subida | --- | 55 | --- | ||
| Td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | --- | 62 | --- | ||
| Tf | Tempo de outono | --- | 22 | --- | ||
| Cisso | Capacitância de entrada | VDS=15 V, VGS=0V, f=1MHz | --- | 7752 | --- | pF |
| Coss | Capacitância de saída | --- | 1120 | --- | ||
| Crsrs | Capacitância de transferência reversa | --- | 650 | --- |
