WSD2090DN56 canal N 20V 80A DFN5*6-8 WINSOK MOSFET

Pequena descrição:

Número do modelo:WSD2090DN56

BVDSS:20V

RDSON:2,8mΩ

EU IA:80A

Canal:Canal N

Pacote:DFN5*6-8

Produto verão:A tensão do MOSFET WSD2090DN56 é 20V, a corrente é 80A, a resistência é 2,8mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5 * 6-8.

Formulários:Cigarros eletrônicos, drones, ferramentas elétricas, armas de fáscia, PD, pequenos eletrodomésticos, etc.

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Detalhes do produto

Aplicativo

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Descrição geral

O WSD2090DN56 é o MOSFET N-Ch de trincheira de mais alto desempenho com densidade de células extremamente alta, que fornece excelente RDSON e carga de porta para a maioria das aplicações de conversor buck síncrono.O WSD2090DN56 atende aos requisitos RoHS e Produto Verde 100% EAS garantido com confiabilidade de função total aprovada.

Características

Tecnologia avançada de trincheira de alta densidade celular, carga de portão super baixa, excelente declínio de efeito CdV / dt, 100% EAS garantido, dispositivo verde disponível

Formulários

Interruptor, sistema de energia, interruptor de carga, cigarros eletrônicos, drones, ferramentas elétricas, pistolas de fáscia, PD, pequenos eletrodomésticos, etc.

número do material correspondente

AOS AON6572

Parâmetros importantes

Classificações máximas absolutas (TC = 25 ℃ salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Máx.	Unidades
VDSS	Tensão de fonte de drenagem	20	V
VGSS	Tensão Gate-Fonte	±12	V
ID@TC=25℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1	80	A
ID@TC=100℃	Corrente de drenagem contínua, VGS @ 10V1	59	A
IDM	Corrente de drenagem pulsada note1	360	A
EAS	Nota de energia de avalanche pulsada única2	110	mJ
PD	Dissipação de energia	81	W
RθJA	Resistência Térmica, Junção à Caixa	65	℃/W
RθJC	Caixa de Junção de Resistência Térmica 1	4	℃/W
TJ, TSTG	Faixa de temperatura operacional e de armazenamento	-55 a +175	℃

Características Elétricas (TJ=25 ℃, salvo indicação em contrário)

Símbolo	Parâmetro	Condições	Mínimo	Tipo	Máx.	Unidades
BVDSS	Tensão de ruptura da fonte de drenagem	VGS=0V, ID=250μA	20	24	---	V
△BVDSS/△TJ	Coeficiente de temperatura BVDSS	Referência a 25℃, ID=1mA	---	0,018	---	V/℃
VGS(º)	Tensão limite do portão	VDS=VGS, ID=250μA	0,50	0,65	1,0	V
RDS(LIGADO)	Resistência estática da fonte de drenagem	VGS = 4,5 V, ID = 30A	---	2.8	4,0	mΩ
RDS(LIGADO)	Resistência estática da fonte de drenagem	VGS = 2,5 V, ID = 20A	---	4,0	6,0	mΩ
IDSS	Corrente de drenagem de tensão de porta zero	VDS=20V,VGS=0V	---	---	1	µA
IGSS	Corrente de fuga do portão-corpo	VGS=±10V, VDS=0V	---	---	±100	nA
Ciss	Capacitância de entrada	VDS=10V,VGS=0V,f=1MHZ	---	3200	---	pF
Coss	Capacitância de saída		---	460	---
Crss	Capacitância de transferência reversa		---	446	---
Qg	Carga total do portão	VGS = 4,5 V, VDS = 10 V, ID = 30A	---	11.05	---	nC
Perguntas frequentes	Carga Gate-Fonte		---	1,73	---
Qgd	Carga de drenagem de portão		---	3.1	---
tD(ligado)	Tempo de atraso de ativação	VGS=4,5V, VDS=10V, ID=30ARGEN=1,8Ω	---	9.7	---	ns
tr	Tempo de subida de ativação		---	37	---
tD(desligado)	Tempo de atraso para desligar		---	63	---
tf	Tempo de queda de desligamento		---	52	---
DSV	Tensão direta do diodo	É=7,6A,VGS=0V	---	---	1.2	V