WSD100N15DN56G canal N 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

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WSD100N15DN56G canal N 150V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET

breve descrição:

Número da peça:WSD100N15DN56G

BVDSS:150 V

EU IA:100A

RDSON:6mΩ

Canal:Canal N

Pacote:DFN5X6-8


Detalhes do produto

Aplicativo

Etiquetas de produto

Visão geral do produto WINSOK MOSFET

A tensão do MOSFET WSD100N15DN56G é 150V, a corrente é 100A, a resistência é 6mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.

Áreas de aplicação WINSOK MOSFET

Fontes de alimentação médica MOSFET, PDs MOSFET, drones MOSFET, cigarros eletrônicos MOSFET, principais aparelhos MOSFET e ferramentas elétricas MOSFET.

Parâmetros MOSFET

Símbolo

Parâmetro

Avaliação

Unidades

VDS

Tensão de fonte de drenagem

150

V

VGS

Tensão Gate-Fonte

±20

V

ID

Corrente de drenagem contínua, VGS@ 10V(TC=25℃)

100

A

IDM

Corrente de drenagem pulsada

360

A

EAS

Energia de avalanche de pulso único

400

mJ

PD

Dissipação total de energia...C=25℃)

160

W

RθJA

Resistência térmica, junção-ambiente

62

℃/W

RθJC

Resistência térmica, caixa de junção

0,78

℃/W

TSTG

Amplitude Térmica de armazenamento

-55 a 175

TJ 

Faixa de temperatura de junção operacional

-55 a 175

 

 

Símbolo

Parâmetro

Condições

Min.

Tipo.

Máx.

Unidade

BVDSS 

Tensão de ruptura da fonte de drenagem VGS=0V, euD=250ua

150

---

---

V

RDS(LIGADO)

Resistência estática da fonte de drenagem2  VGS=10V, euD=20A

---

9

12

VGS(º)

Tensão limite do portão VGS=VDS, EUD=250ua

2,0

3,0

4,0

V

IDSS

Corrente de fuga da fonte de drenagem VDS=100 V, VGS=0 V, TJ=25℃

---

---

1

uA

IGSS

Corrente de fuga porta-fonte VGS=±20 V, VDS=0V

---

---

±100

nA

Qg 

Carga total do portão VDS=50 V, VGS=10V, euD=20A

---

66

---

nC

Qgs 

Carga Gate-Fonte

---

26

---

Qgd 

Carga de drenagem de portão

---

18

---

Td(ligado)

Tempo de atraso de ativação VDD= 50V,VGS=10V

RG=2Ω,

ID=20A

---

37

---

ns

Tr 

Tempo de subida

---

98

---

Td(desligado)

Tempo de atraso para desligar

---

55

---

Tf 

Tempo de outono

---

20

---

Cisso 

Capacitância de entrada VDS=30 V, VGS=0V, f=1MHz --- 5450

---

pF

Coss

Capacitância de saída

---

1730

---

Crsrs 

Capacitância de transferência reversa

---

195

---


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