WSD100N06GDN56 canal N 60V 100A DFN5X6-8 WINSOK MOSFET
Visão geral do produto WINSOK MOSFET
A tensão do MOSFET WSD100N06GDN56 é 60V, a corrente é 100A, a resistência é 3mΩ, o canal é canal N e o pacote é DFN5X6-8.
Áreas de aplicação WINSOK MOSFET
Fontes de alimentação médica MOSFET, PDs MOSFET, drones MOSFET, cigarros eletrônicos MOSFET, principais aparelhos MOSFET e ferramentas elétricas MOSFET.
WINSOK MOSFET corresponde a outros números de materiais de marca
AOS MOSFET AON6264C,AON6264E,AON6266E,AONS6662.STMicroelectronics MOSFET STL13N6F7,STL14N6F7.PANJIT MOSFET PSMQC33N6NS1.POTENS Semicondutor MOSFET PDC692X.
Parâmetros MOSFET
| Símbolo | Parâmetro | Avaliação | Unidades | ||
| VDS | Tensão de fonte de drenagem | 60 | V | ||
| VGS | Tensão Gate-Fonte | ±20 | V | ||
| ID1,6 | Corrente de drenagem contínua | TC=25°C | 100 | A | |
| TC=100°C | 65 | ||||
| IDM2 | Corrente de drenagem pulsada | TC=25°C | 240 | A | |
| PD | Dissipação Máxima de Potência | TC=25°C | 83 | W | |
| TC=100°C | 50 | ||||
| IAS | Corrente de avalanche, pulso único | 45 | A | ||
| EAS3 | Energia de avalanche de pulso único | 101 | mJ | ||
| TJ | Temperatura máxima de junção | 150 | ℃ | ||
| TSTG | Amplitude Térmica de armazenamento | -55 a 150 | ℃ | ||
| RθJA1 | Junção de resistência térmica ao ambiente | Curso estável | 55 | ℃/W | |
| RθJC1 | Junção de Resistência Térmica ao Caso | Curso estável | 1,5 | ℃/W | |
| Símbolo | Parâmetro | Condições | Min. | Tipo. | Máx. | Unidade | |
| Estático | |||||||
| V(BR)DSS | Tensão de ruptura da fonte de drenagem | VGS = 0V, ID = 250μA | 60 | V | |||
| IDSS | Corrente de drenagem de tensão de porta zero | VDS = 48 V, VGS = 0 V | 1 | μA | |||
| TJ=85°C | 30 | ||||||
| IGSS | Corrente de fuga do portão | VGS = ±20V, VDS = 0V | ±100 | nA | |||
| Nas características | |||||||
| VGS(TH) | Tensão limite do portão | VGS = VDS, IDS = 250µA | 1.2 | 1,8 | 2,5 | V | |
| RDS(ligado)2 | Resistência no estado da fonte de drenagem | VGS = 10V, ID = 20A | 3,0 | 3.6 | mΩ | ||
| VGS = 4,5 V, ID = 15A | 4.4 | 5.4 | mΩ | ||||
| Troca | |||||||
| Qg | Carga total do portão | VDS=30V VGS=10V ID=20A | 58 | nC | |||
| Perguntas frequentes | Carga Gate-Sour | 16 | nC | ||||
| Qgd | Carga de drenagem de portão | 4,0 | nC | ||||
| td (ligado) | Tempo de atraso de ativação | VGEN=10V VDD=30V ID=20A RG=Ω | 18 | ns | |||
| tr | Tempo de subida de ativação | 8 | ns | ||||
| td(desligado) | Tempo de atraso para desligar | 50 | ns | ||||
| tf | Desligue o tempo de queda | 11 | ns | ||||
| Rg | Resistência ao gatilho | VGS=0V, VDS=0V, f=1MHz | 0,7 | Ah | |||
| Dinâmico | |||||||
| Ciss | Em capacitância | VGS=0V VDS=30Vf=1MHz | 3458 | pF | |||
| Coss | Capacitância de saída | 1522 | pF | ||||
| Crss | Capacitância de transferência reversa | 22 | pF | ||||
| Características do diodo de fonte de drenagem e classificações máximas | |||||||
| É1,5 | Corrente de fonte contínua | VG = VD = 0V, corrente de força | 55 | A | |||
| ISM | Corrente de Fonte Pulsada3 | 240 | A | ||||
| DSV2 | Tensão direta do diodo | ISD = 1A, VGS = 0V | 0,8 | 1.3 | V | ||
| trr | Tempo de recuperação reversa | ISD=20A, dlSD/dt=100A/µs | 27 | ns | |||
| QR | Cobrança de recuperação reversa | 33 | nC | ||||
