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Olukey: Vamos falar sobre o papel do MOSFET na arquitetura básica de carregamento rápido
A estrutura básica da fonte de alimentação do QC de carregamento rápido usa SSR de retificação síncrona flyback + lado secundário (secundário). Para conversores flyback, de acordo com o método de amostragem de feedback, ele pode ser dividido em: lado primário (prima...Leia mais -
Quanto você sabe sobre os parâmetros MOSFET? OLUKEY analisa para você
"MOSFET" é a abreviatura de Transistor de efeito de campo semicondutor de óxido metálico. É um dispositivo feito de três materiais: metal, óxido (SiO2 ou SiN) e semicondutor. MOSFET é um dos dispositivos mais básicos na área de semicondutores. ...Leia mais -
Como escolher o MOSFET?
Recentemente, quando muitos clientes vêm à Olukey para consultar sobre MOSFETs, eles farão uma pergunta: como escolher um MOSFET adequado? Em relação a esta questão, Olukey responderá para todos. Antes de tudo, precisamos entender o princípio...Leia mais -
Princípio de funcionamento do modo de aprimoramento de canal N MOSFET
(1) O efeito de controle de vGS no ID e no canal ① Caso de vGS = 0 Pode-se observar que existem duas junções PN consecutivas entre o dreno d e a fonte s do MOSFET de modo de aprimoramento. Quando a tensão porta-fonte vGS=0, mesmo que...Leia mais -
A relação entre embalagem e parâmetros MOSFET, como escolher FET's com embalagem adequada
①Embalagem de plug-in: TO-3P, TO-247, TO-220, TO-220F, TO-251, TO-92; ②Tipo de montagem em superfície: TO-263, TO-252, SOP-8, SOT-23, DFN5*6, DFN3*3; Diferentes formas de embalagem, o correspondente limite de corrente, tensão e efeito de dissipação de calor do MO...Leia mais -
O que significam os três pinos G, S e D do MOSFET embalado?
Este é um sensor infravermelho piroelétrico MOSFET embalado. A moldura retangular é a janela de detecção. O pino G é o terminal de aterramento, o pino D é o dreno MOSFET interno e o pino S é a fonte MOSFET interna. No circuito, ...Leia mais -
A importância do MOSFET de potência no desenvolvimento e design de placas-mãe
Em primeiro lugar, o layout do soquete da CPU é muito importante. Deve haver espaço suficiente para instalar o ventilador da CPU. Se estiver muito próximo da borda da placa-mãe, será difícil instalar o radiador do processador em alguns casos onde o...Leia mais -
Fale brevemente sobre o método de produção de um dispositivo de dissipação de calor MOSFET de alta potência
Plano específico: um dispositivo de dissipação de calor MOSFET de alta potência, incluindo um invólucro de estrutura oca e uma placa de circuito. A placa de circuito está disposta na caixa. Vários MOSFETs lado a lado estão conectados em ambas as extremidades do circuito...Leia mais -
Pacote FET DFN2X2 arranjo de modelo de canal P único 20V-40V_WINSOK MOSFET
Pacote WINSOK MOSFET DFN2X2-6L, FET de canal P único, modelos de tensão 20V-40V são resumidos da seguinte forma: 1. Modelo: WSD8823DN22 canal P único -20V -3,4A, resistência interna 60mΩ Modelos correspondentes: AOS:AON2403 ON Semicondutor: FDM ...Leia mais -
Explicação detalhada do princípio de funcionamento do MOSFET de alta potência
MOSFETs de alta potência (transistores de efeito de campo semicondutores de óxido metálico) desempenham um papel importante na engenharia eletrônica moderna. Este dispositivo tornou-se um componente indispensável em eletrônica de potência e aplicações de alta potência devido...Leia mais -
Entenda o princípio de funcionamento do MOSFET e aplique componentes eletrônicos com mais eficiência
Compreender os princípios operacionais dos MOSFETs (transistores de efeito de campo de semicondutores de óxido metálico) é crucial para a utilização eficaz desses componentes eletrônicos de alta eficiência. Os MOSFETs são elementos indispensáveis na eletrônica.Leia mais -
Entenda o MOSFET em um artigo
Dispositivos semicondutores de potência são amplamente utilizados na indústria, consumo, militar e outros campos, e têm uma posição estratégica elevada. Vamos dar uma olhada no quadro geral dos dispositivos de energia a partir de uma imagem: ...Leia mais
