A tecnologia de carregamento rápido, como parte essencial dos equipamentos eletrónicos modernos, está a desenvolver-se e a evoluir rapidamente. Impulsionadas pelo mercado de carregamento rápido, indústrias como a de smartphones e veículos elétricos exigem cada vez mais soluções de carregamento rápido e eficiente. A inovação na tecnologia de carregamento rápido não se concentra apenas em melhorar a velocidade de carregamento, mas também enfatiza a segurança. Olhando para o futuro, a tecnologia de carregamento rápido será combinada com o carregamento sem fio e uma tecnologia de bateria mais eficiente para alcançar um salto qualitativo e proporcionar aos usuários uma experiência de carregamento mais conveniente e ecologicamente correta. Com o desenvolvimento da tecnologia e a expansão do mercado, espera-se que a indústria de carregamento rápido continue a manter um rápido crescimento.
Quando falamos sobre a aplicação deMOSFETna tecnologia de carregamento rápido, existem várias dores de cabeça.
Em primeiro lugar, porque o carregamento rápido requer uma grande corrente, oMOSFETvai esquentar muito, e como lidar com esse calor se torna um grande problema. Depois, há também desafios de eficiência. Ao mudar rapidamente, o MOSFET perde facilmente parte da sua energia, o que afeta a eficiência do carregamento. Além disso, o equipamento de carregamento rápido espera ser o menor possível, mas isso exige que o MOSFET seja pequeno e também lide com o problema do calor. Como o MOSFET muda rapidamente, ele pode interferir em outros equipamentos eletrônicos, o que também é um problema. Finalmente, o ambiente de carregamento rápido tem altos requisitos de tensão e corrente suportáveis dos MOSFETs, o que é um teste para seu desempenho. Trabalhar neste ambiente por um longo período também pode afetar sua vida útil e confiabilidade. Resumindo, embora o MOSFET seja fundamental para o carregamento rápido, enfrenta muitos desafios.
WINSOKO MOSFET pode ajudá-lo a resolver os problemas acima. Os principais modelos de aplicação do WINSOK MOSFET em carregamento rápido são:
| Número da peça | Configuração | Tipo | VDS | ID (A) | VGS(th)(v) | RDS(ON)(mΩ) | Ciss | Pacote | |||
| @10V | |||||||||||
| (V) | Máx. | Min. | Tipo. | Máx. | Tipo. | Máx. | (PF) | ||||
| Solteiro | N-Ch | 30 | 50 | 1,5 | 1,8 | 2,5 | 6.7 | 8,5 | 1200 | DFN3X3-8 | |
| Solteiro | P-Ch | -30 | -40 | -1,3 | -1,8 | -2,3 | 11 | 14 | 1380 | DFN3X3-8 | |
| Solteiro | N-Ch | 60 | 18 | 1 | 2 | 3 | 7 | 9 | 3760 | POP-8 | |
| Solteiro | N-Ch | 100 | 16 | 1.4 | 1.7 | 2,5 | 8,9 | 11 | 4000 | POP-8 | |
| Solteiro | P-Ch | -30 | -8,2 | -1,5 | -2 | -2,5 | 16 | 20 | 2050 | POP-8 | |
| Solteiro | P-Ch | -30 | -13 | -1,2 | -2 | -2,5 | 9.6 | 15 | 1550 | POP-8 | |
| N+P | N-Ch | 30 | 7 | 1 | 1,5 | 2,5 | 18 | 28 | 550 | POP-8 | |
| P-Ch | -30 | -6 | -1 | -1,5 | -2,5 | 30 | 38 | 645 | |||
| Solteiro | N-Ch | 100 | 85 | 2 | 3 | 4 | 10 | 13 | 2100 | PARA-220 | |
Outros números de materiais de marca correspondentes ao WINSOK MOSFET acima são:
Os números de material correspondentes do WINSOK MOSFET WSD3050DN são:AOS AON7318,AON7418,AON7428,AON7440,AON7520,AON7528,AON7544,AON7542.Onsemi,FAIRCHILD NTTFS4939N,NTTFS4C08N.VISHAY SiSA84DN.Nxperian PSMN9R8- 30MLC.TOSHIBA TPN4R303NL.PANJIT PJQ4408P.NIKO- SEM PE5G6EA.
Os números de material correspondentes do WINSOK MOSFET WSD30L40DN são:AOS AON7405,AONR21357,AON7403,AONR21305C.ST Microelectronics STL9P3LLH6.PANJIT PJQ4403P.NIKO-SEM P1203EEA,PE507BA.
Os números de material correspondentes do WINSOK MOSFET WSP6020 são:AOS AO4262E,AO4264E,AO4268.Onsemi,FAIRCHILD FDS86450.PANJIT PJL9436.NIKO-SEM P0706BV.Potens Semiconductor PDS6904-5.
Os números de material correspondentes do WINSOK MOSFET WSP16N10 são:AOS AO4290,AO4290A,AO4294,AO4296.VISHAY Si4190ADY.Potens Semiconductor PDS0960.DINTEK ELECTRONICS DTM1012.
Os números de material correspondentes do WINSOK MOSFET WSP4435 são:AOS AO4335,AO4403,AO4405,AO4411,AO4419,AO4435,AO4449,AO4459,AO4803,AO4803A,AO4807,AO4813.Onsemi,FAIRCHILD, FDS6685.VISHAY Si4431CDY.ST Microeletrônica STS10P3LLH6,STS5P3LLH6 ,STS6P3LLH6,STS9P3LLH6.TOSHIBA TPC8089-H.PANJIT PJL9411.Sinopower SM4310PSK.NIKO-SEM P3203EVG.Potens Semiconductor PDS3907.DINTEK ELECTRONICS DTM4435,DTM4437.
Os números de material correspondentes do WINSOK MOSFET WSP4407 são:AOS AO4407,AO4407A,AOSP21321,AOSP21307.Onsemi,FAIRCHILD FDS6673BZ.VISHAY Si4825DDY.ST Microelectronics STS10P3LLH6,STS5P3LLH6,STS6P3LLH6,STS9P3LLH 6.TOSHIBA TPC8125.PANJIT PJL94153.Sinopower SM4305PSK.NIKO-SEM PV507BA ,P1003EVG.Potens Semiconductor PDS4903.DINTEK ELECTRONICS DTM4407,DTM4415,DTM4417.
Os números de material correspondentes do WINSOK MOSFET WSP4606 são:AOS AO4606,AO4630,AO4620,AO4924,AO4627,AO4629,AO4616.Onsemi,FAIRCHILD ECH8661,FDS8958A.VISHAY Si4554DY.PANJIT PJL9606.Sinopower SM4901CS K.NIKO-SEM P5003QVG.Potens Semiconductor PDS3710. DINTEK ELETRÔNICA DTM4606,DTM4606BD,DTM4606BDY.
Os números de material correspondentes do WINSOK MOSFET WSR80N10 são:AOS AOTF290L.Onsemi,FAIRCHILD FDP365IU.ST Microelectronics STP80N10F7.Nxperian PSMN9R5-100PS.INFINEON,IR IPP086N10N3 G ,IPP086N10N3 G.NXP PSMN9R5-100PS.TOSHI BA TK100E08N1,TK100A08N1.Potens Semiconductor PDP0966.
Horário da postagem: 28 de novembro de 2023
